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氧化镓产业化的先行者

—苏州镓和半导体有限公司

苏州镓和半导体有限公司是一家专注于超宽禁带半导体材料——氧化镓（Ga2O3）的高新技术企业。公司以突破氧化镓产业关键核心技术壁垒为使命，恪守“高标准、高品质”的经营理念，保证为客户交付品质一流的产品与服务。公司自主掌握从关键装备研发、衬底制造到器件设计与应用产品开发的全流程技术体系，实现核心能力的垂直整合与自主可控。我们坚持以技术创新为核心驱动力，持续探索氧化镓材料的更高潜能，以前沿科技与产业应用的深度融合，引领超宽禁带半导体材料的发展方向。

公司在采用EFG法生长高阻半绝缘型及导电型氧化镓单晶方面取得了关键突破，可稳定供应2英寸及4英寸衬底，并正稳步推进6英寸衬底的量产进程。在外延环节，公司已具备高迁移率同质外延及异质外延能力，材料缺陷密度与背景载流子浓度等核心指标达到行业先进水平，相关产品已在头部器件单位完成验证导入。

持之以恒，臻于至善，以创新成就不凡，以卓越赢得信赖

10 +

多年的行业经验

50 +

发明专利

5 +

核心技术

发展历程

2025

＞苏州镓和半导体有限公司于2025年初开业。
＞MOCVD外延生产线已投产，实现了2至6英寸异质外延的批量供应，并开展了2英寸氧化镓同质外延生长。
＞成功研制出一款640×512的太阳盲紫外焦平面成像芯片。该太阳盲紫外成像仪已通过产品质量检测和用户现场测试，并取得了用户认证报告。
该公司被认定为高新技术企业。

2024

＞进一步提升4英寸衬底良率
＞提供多种规格的单晶衬底和外延片
＞北京稼和半导体有限公司迁址苏州工业园区，开启了高和半导体发展的新篇章

2023

＞成功实现2英寸衬底的量产，产品质量持续提升。
＞与国内领先的半导体企业签署了采购订单。
＞成功研发出4英寸衬底生长技术，并正式发布产品参数。
＞完成A轮融资。
＞获得北京市中关村高新技术企业资质。

2022

＞镓氧化物专用MOCVD设备的改造已完成
＞自主研制的氧化镓晶体生长炉，成功实现2英寸衬底的制备

2021

＞北京镓和半导体有限公司在怀柔科学城正式成立。
＞该项目承担了广州市黄埔区新一代半导体领域的重点项目。

2019

＞成功实现了3英寸氧化镓单晶的生长

2018

＞成功实现了2英寸氧化镓单晶的生长。
＞承担了北京市重点科技项目“3英寸单晶衬底及外延技术研究”。

2017

＞成立一家产业化公司，开展氧化镓的产业化应用。

2016

＞实现高质量的氧化镓2英寸蓝宝石衬底外延生长
＞成功研制出首款日盲紫外成像芯片

2014

＞成功实现了氧化镓的外延生长
＞成功制备出首款日盲紫外探测器芯片

2011

＞开启氧化镓研究之路

唐为华教授

创始人兼董事长

中国氧化镓研究与产业化的先行者

唐为华教授，中国科学院物理研究所博士，南京邮电大学教授/博导，国家“百千万人才工程”人才，享国务院政府特殊津贴，中科院“百人计划”入选者，曾荣获北京市科技奖一等奖和二等奖。曾任北京邮电大学教授/博导，中科院物理所研究员/博导，曾在香港大学、法国国家研究中心稀土冶金光谱实验室、美国国家技术与标准研究院、美国杜兰大学等境外机构从事合作研究。发表SCI收录论文350多篇，引用超15000多次，H因子62。2021-2023年连续三年被ELSEVIER评为高被引论文学者，进入2023年全球顶级材料科学家排行榜，入选1960-2023终身科学影响力排行榜。

唐为华教授2011年开始专注于氧化镓研究，是国内氧化镓研究与产业化实践的先行者。主持氧化镓相关国家及省部级科研项目20多项，总经费5000多万元。氧化镓相关SCI论文及引用国际排名第一，获得首个氧化镓研究相关的省部级科技奖（北京市自然科学二等奖）。掌握氧化镓2-4英寸单晶生长技术，率先制备出2-4英寸氧化镓外延片，掌握氧化镓日盲紫外分立及阵列传感芯片设计及制备技术，拥有氧化镓晶体、外延及器件相关发明专利20多项。

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