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镓和半导体：引领四代技术创新
发布时间：
2023-12-21
镓和半导体团队秉持“突破封锁、自立自强、锐意进取、持之以恒、踏实苦干、勇立潮头”的信念，在技术攻关、产品研发、产能扩充、人才引进、应用布局等关键领域谋篇布局、厚积薄发，加快推进大尺寸氧化镓衬底及外延的国产化与升级换代，为我国第四代半导体材料产业链的自主可控与全面发展作出应有贡献。
“镓和引领第四代半导体创新。”镓和半导体致力于提供高品质的氧化镓晶体及外延材料，研发高端专用设备，率先推动第四代半导体——氧化镓产业的发展。
公司简介
镓和半导体有限公司于2021年在怀柔科学城成立，是一家专注于氧化镓材料及相关器件研发与应用的高新技术企业。公司致力于开发和生产高品质的氧化镓单晶衬底与外延片、单晶及外延生长设备、高灵敏度日盲型紫外探测器、以及高电压、高温、高频、大功率电力电子器件等系列高端氧化镓产品。公司掌握氧化镓单晶衬底、外延、器件及专用装备等领域的核心技术，在第四代半导体领域展现出原创性、引领性和影响力，是我国第四代半导体产业的先行者和领军企业，同时也是中关村高新技术企业。
镓和半导体团队秉持“突破封锁、自立自强、锐意进取、持之以恒、踏实苦干、勇立潮头”的信念，在技术攻关、产品研发、产能扩充、人才引进、应用布局等关键领域谋篇布局、厚积薄发，加快推进大尺寸氧化镓衬底及外延的国产化与升级换代，为我国第四代半导体材料产业链的自主可控与全面发展作出应有贡献。
氧化镓——第四代半导体材料的领军者
氧化镓（GaO）作为第四代半导体材料的代表，具有更宽的禁带宽度、更高的耐压能力、更低的功耗、优异的高温性能和抗辐射性能，且成本低廉。它是发展功率电子、微波射频以及日盲紫外光电子等关键技术的战略性先进电子材料，已成为国际竞争的新前沿。
瓦森纳协定的最新版本于2021年发布，2022年，美国和日本相继将氧化镓列入出口管制清单。2023年，我国也对与锗相关的物品实施了出口管制。实现氧化镓宽禁带半导体技术的自主可控，具有极其重要的战略意义、前瞻性和紧迫性！
中国科学院院士郝跃公开表示，氧化镓是未来最具发展前景的材料之一，氧化镓器件将在未来十年内成为最具竞争力的功率电子器件。
在功率器件领域，氧化镓可同时满足低、中、高及超高电压应用需求。氧化镓将首先应用于消费电子与家用电器领域——这些领域的市场壁垒较低、成本敏感度较高；同时也将进入工业电源市场，凭借其高可靠性和优异性能发挥优势。预计自2025年至2030年，氧化镓将全面渗透汽车及电气设备领域。
在光电子器件领域：氧化镓能够在日盲紫外波段吸收光子并产生电子（实现光电转换），因而成为日盲紫外光电子器件的理想材料。它在电网安全监测、医学成像、海上搜救以及环境与生化检测等领域具有重要应用价值。
在射频器件领域：氧化镓MOSFET器件有望实现fmax=100GHz且功耗较低，预计将在5G乃至未来6G通信的射频器件市场中获得重要应用。
概述
“一代材料，一代技术，一代产业。”镓和半导体将充分发挥团队的技术优势，合理规划融资布局，加快技术迭代升级，持续优化产品性能，拓展应用场景，并协同推进产业布局，全面、快速推动氧化镓半导体产业的有序发展。镓和半导体将落户苏州工业园区，依托“苏州实验室”和“国家第三代半导体技术创新中心”两大国家级平台，借助先进的研发载体，加速氧化镓半导体新技术的研发突破，打造第四代半导体——氧化镓产业的先发优势。
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